gan(氮化镓)晶体
发布时间： 2024-03-23 18:38:26 浏览次数：1432
产品介绍：
gan晶体氮化镓是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体,由于具有化学稳定性好、热传导性能优良、击穿电压高、大功率，近年在光电子领域和高温高频电子应用备受关注，是目前最优秀的半导体材料。
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产品名称： | gate 单晶基片 |
技术参数： | 电阻率:n/a |
产品规格; | 晶向:(0001) |
尺寸:10x10x1.0mm | |
抛光情况:抛光，自然解理面 | |
注:可按客户要求定制方向和尺寸 | |
标准包装 | 标准包装:1000 级超净室，100级超净袋 |
产品名称 | 氮化镓(gan)晶体基片 |
技术参数 | 晶体结构：六方晶系 |
晶格常数a= 3.186 å , c = 5.186 å | |
传导类型：n型掺si；n型不掺杂 | |
可用表面积：>90% | |
位错密度：（5-9）x105ω.cm | |
电阻率：r<0.05 ω.cm；r<0.1ω.cm | |
介电常数：8.9 | |
ttv：≤15um | |
密度：6.15（g/cm3） | |
生长方法：hvpe（氢化物气相外延法） | |
产品规格 | 常规晶向： (0001) |
常规尺寸：10.5x10x0.35mm、5x5x0.35mm | |
表面粗糙度：<5å | |
注：尺寸可按照客户要求定做。 | |
晶体缺陷 | 人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
标准包装 | 1000级超净室100级超净袋或单片盒装 |
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销售热线： 0371-6320 2801
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高经理: 188-3829-0747
黄经理: 188-3829-0748
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地址：郑州·新郑·新华街道竹园8号
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