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ge（锗）晶体

发布时间： 2024-03-25 17:25:38 浏览次数：1357

产品介绍：

ge(锗)主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。

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产品名称	ge晶体基片
技术参数	晶体结构：立方晶系
	晶格常数：5.6754 å
	密度：5.323 g/cm3
	熔点：937.4 ℃
	介电常数：16.2
	热导率（w/m·k）：60.2
	掺杂物质：不掺杂；掺sb；掺in或ga；
	类型：n型和 p型
	电阻率 w·cm：>35 0.05 0.05-0.1
	epd:< 4x103/cm2 < 4x103/cm2 < 4x103/cm2
	生长方法：直拉法
产品规格	常规晶向：、、
	晶向公差：±0.5°
	常规尺寸：10x10x0.5mm，10x5x0.5mm,dia2",dia3"
	抛光情况：单抛、双抛
	表面粗糙度：< 5a
	注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷	人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。
标准包装	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理

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