mgo:linbo3(掺镁铌酸锂)晶片
发布时间： 2024-04-12 17:52:18 浏览次数：1040
产品介绍：
mgo:linbo3晶片纯同成份铌酸锂晶体的缺点是抗激光损伤阙值很低，这限制了它的应用领域。当掺入5mol%mgo后，所生长mgo:ln晶体的抗激光损伤阙值提高1-2个数量级，极化反转电压从21kv/mm降至6kv/mm，紫外吸收边紫移至310mm，oh-吸收峰红移至3535cm-1,这些变化极大的拓展了ln晶体的应用范围。
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产品名称 | 光学级掺镁铌酸锂（mgo:linbo3)晶片 |
产品规格 | 晶体结构：三方晶系 |
晶格常数：a=5.147å c=13.856å | |
密度：4.7g/cm3 | |
熔点：1253℃ | |
生长方法：提拉法 | |
产品规格： | 常规晶向：z cut |
晶向公差：±0.5° | |
常规尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm | |
抛光情况：单抛、双抛、细磨 | |
注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 | |
晶体缺陷： | 人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
标准包装： | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
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