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si晶体基片

发布时间： 2024-07-08 23:33:34 浏览次数：1030

产品介绍：

化学符号为si,主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料

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产品名称	si 单晶基片
技术参数	晶体结构：立方晶系
	晶格常数：a=5.4301 å
	掺杂类型：n型不掺杂、n型掺p、n型掺as、n型掺sb、p型掺b
	硬度（mohs):6.5
	电阻率：10000～0.001ω.cm
	超导率（w/m.k):149
	密度：2.329（g/cm3）
	熔点：1414℃
	热膨胀系数（/k):2.6×10-6
	生长方法：cz和fz
产品规格	常规晶向
	常规尺寸：dia4”x0.5mm、dia2”x0.5mm
	抛光情况：单抛、双抛、细磨
	抛光面粗糙度：< 10a
	注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷	人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷.
标准包装	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理

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